第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，主要材料有碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。在第一二代半导体材料的发展上，我国起步时间远远晚于其他国家，导致在材料上处处受制于人，而第三代半导体材料领域国内厂商起步时间与国外厂商相差不远，正在进行技术追赶，尽快实现国产替代。
第三代半导体材料产业链与前一期的半导体材料产业链模式相似，同样涉及到前端的制造材料和后端的封装材料，第三代半导体材料则主要指作为衬底材料的碳化硅（SiC）和氮化镓(GaN)。本篇主要分析针对碳化硅和氮化镓的发明专利进行分析，明晰第三代半导体材料的全球发展与竞争形势。
第三代半导体材料全球专利申请量缓慢而曲折地增长，全球尚处于产业爆发前期。整体而言，第三代半导体材料已有大量的专利储备，但产业化实施程度还不高，第三代半导体材料的产业化进程有待加快。
从技术公开国看，日本、美国、中国、韩国以及欧洲是第三代半导体材料的重要市场。其中，日本专利数量领先其他国家较多，美国和中国不相上下，存在较强的竞争关系。从技术申请人国看，技术的来源区域和应用区域情况相似，日本拥有最多的专利申请，其次中国的专利数量略高于美国，技术成果产出较为丰富。
